ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Днепр   Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

УВАГА! Шановні клієнти магазину в м.Дніпро!

З 18.12.23 магазин в м.Дніпро за адресою вул.Новокримська 58 не працює.
Однак, наш інтернет-магазин відкритий для вас 24/7.
Усі місцеві замовлення можуть бути відправлені кур'єрськими службами.

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Введите строку поиска или нажмите на значок микрофона и начните говорить.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активные компоненты ↠ Транзисторы, модули ↠ Полевые транзисторы

Новинки Все Новинки...

Рекомендуемые Все…

Код товара:
049661

Транзистор JCS2N60V

N-Channel Power MOSFET, 1.9A 600V RDS(on) 3.8Ω
Транзистор JCS2N60V
Корпус: I-PAK
Производитель: Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. (JILIN SINO)
Товар в наличии
11,00 грн × = 11,00 грн
от 1 шт. : — 11,00 грн
от 20 шт. : — 9,90 грн ( -10,0%)
от 80 шт. : — 9,35 грн ( -15,0%)

Текущие остатки:

Магазин-Днепр
500 шт.
Для Интернет-Заказов
500 шт.

Похожие товары

Транзистор SVF2N60F Корпус: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 2 А Rds2510V: 3.7 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор FQPF2N60C Корпус: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 2 А Rds2510V: 3.6 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор FQD2N60CTM Корпус: DPAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 1.9 А Rds2510V: 3.6 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор CJD02N60 Корпус: I-PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 2 А Rds2510V: 3.6 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор FQP2N60C Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 2 А Rds2510V: 3.6 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор CJU02N60 Корпус: TO252-2L структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 2 А Rds2510V: 4.4 Ом VGS(th): 2 ... 4 V

Технические характеристики

Производитель Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. (JILIN SINO)
Корпус I-PAK
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±30 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 1.9 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 1.1 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 3.8 Ом
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 44 Вт

Техническая документация

Файл с описаниемФайл с описанием (1297Kb)

Изображение товара

Транзистор JCS2N60V

Оставьте свой отзыв или задайте вопрос

Здесь обсуждается только этот товар. Комментарии не по теме будут удалены! Пожалуйста, соблюдайте Правила комментирования.

Данные, представленные в описании товара являются справочными и могут отличаться от указанных производителем.
Для проведения технических расчетов и получения точных параметров товара используйте даташиты с сайта производителя.
Если Вам нужна дополнительная информация, или вы обнаружили в описании ошибку, или есть другие вопросы по этому товару, то Вам поможет Евгений ЗП unknown



Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.